Cyril BUTTAY - plotted using gnuplot, source file available by email: cyril DOT buttay AT free DOT fr
This plot represents the specific resistance of MOSFETs versus their breakdown voltage. The dots are the values estimated from the datasheets of the following manufacturers: International Rectifier, ST Microelectronics, Infineon. Only the transistors in D2PAK package have been considered, with an estimated 30 mm² die size.
The "ideal" curve is the specific resistance of a single silicon layer that can withstand the given breakdown voltage. Its equation is Rdson=5.93.10-9.Vbr2.5, and comes from B. JAYANT BALIGA, "Power semiconductor devices", PWS publishing company, 1996
set xlabel "Breakdown Voltage (V)"
set format y '%3.1s %c'#{/Symbol W}'
set format x "%3.0s %cV"
set logscale xy
output file name
set output "bv_rdson.eps"
plot [10:2000][100e-6:10] 5.93e-9*(x**2.5) ls 3 title 'Ideal MOSFET',\
'mos_data.txt' using 1:($2*0.3) ls 2 with points title 'Commercially available MOSFETs (estimated specific resistance)'
}}
Dataset
gnuplot expects to find the data in a file named 'mos_data.txt'. As mentioned above, the data comes from various manufacturers, but I forgot to write down the corresponding devices reference numbers...
Jeg, dette værks ophavsretsindehaver, udgiver hermed værket under den følgende licens:
Tilladelse er givet til at kopiere, distribuere og/eller ændre dette dokument under betingelserne i GNU Free Documentation License', Version 1.2 eller enhver senere version udgivet af Free Software Foundation; uden et invariant afsnit, ingen forsidetekster, og ingen bagsidetekst. En kopi af licensen er inkluderet i afsnittet GNU Free Documentation License.http://www.gnu.org/copyleft/fdl.htmlGFDLGNU Free Documentation Licensetruetrue
at dele – at kopiere, distribuere og overføre værket
at remixe – at tilpasse værket
Under følgende vilkår:
kreditering – Du skal give passende kreditering, angive et link til licensen, og oplyse om der er foretaget ændringer. Du må gøre det på enhver fornuftig måde, men ikke på en måde der antyder at licensgiveren godkender dig eller din anvendelse.
deling på samme vilkår – Hvis du bearbejder, ændrer eller bygger videre på dette værk, skal du distribuere dine bidrag under den samme eller en kompatibel licens som originalen.
Denne licens blev tilføjet som en del af GFDL-licensopdateringen.http://creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0/CC BY-SA 3.0Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0truetrue
at dele – at kopiere, distribuere og overføre værket
at remixe – at tilpasse værket
Under følgende vilkår:
kreditering – Du skal give passende kreditering, angive et link til licensen, og oplyse om der er foretaget ændringer. Du må gøre det på enhver fornuftig måde, men ikke på en måde der antyder at licensgiveren godkender dig eller din anvendelse.
deling på samme vilkår – Hvis du bearbejder, ændrer eller bygger videre på dette værk, skal du distribuere dine bidrag under den samme eller en kompatibel licens som originalen.
The "ideal" curve on previous figures was plotted using the following equation: 1.63e-8.Vbr^2.5. However, this equation is for P-devices (see B.J.Baliga "power semiconductor devices", PWS , ISBN 0-534-94098-6, 1995 p 373). For N devices, the constant is 5
Cyril BUTTAY - plotted using gnuplot, source file available by email: cyril DOT buttay AT free DOT fr This plot represents the specific resistance of MOSFETs versus their breakdown voltage. The dots are the values estimated from the datasheets of the fol